光譜響應(yīng)與量子效率是相同的物理特性，太陽(yáng)能電池的量子效率(%)，只要將光譜響應(yīng)中的電流單位安培A換算成電子數(shù)，再將光能量單位瓦特W換算成光子數(shù)，即可得到太陽(yáng)能電池EQE的百分比表示法。
 

　　外部量子效率在制程改善上的應(yīng)用：
 

　　光譜響應(yīng)/量子效率能反應(yīng)不同波段的各層太陽(yáng)能電池特性，以晶硅太陽(yáng)能電池為例，是在P型晶圓上摻雜，制作N層，形成PN結(jié)面，表面再作粗化形成抗反射層，降低接口反射，提高入射的光子效率。
 

　?、佼?dāng)太陽(yáng)光照射到太陽(yáng)能電池時(shí)，光通過(guò)的順序?yàn)榭狗瓷鋵?、N層、PN結(jié)面、P層、背電極?？狗瓷鋵右蚰芟遁^大，僅會(huì)吸收短波長(zhǎng)的光，因此短波段(300nm-350nm)通常反應(yīng)抗反射層的特性。
 

　?、诖笥?50nm的光陸續(xù)穿過(guò)N層、PN結(jié)面與P層，因各層厚度的不同，所吸收的波段范圍依序?yàn)?50nm-500nm波段(N層)，500nm-800nm波段(PN結(jié)面)，800nm-1100nm(P層)，在350-500nm波段，光譜曲線是隨著波長(zhǎng)的增加而提升，因長(zhǎng)波長(zhǎng)光子穿透深度較深，接近PN結(jié)面，因此轉(zhuǎn)換效率提升。
 

　　外部量子效率一般效率高的部分都是落在PN結(jié)面的波段，因PN結(jié)面內(nèi)部電場(chǎng)可有效率的拆解吸收光子后的電子-空穴對(duì)，效率高500nm-800nm波段，反映的是PN結(jié)面層的特性。800-1100nm波段穿透到下層的P層，光譜隨波長(zhǎng)增加而快速遞減的原因有二種，800-1000nm波長(zhǎng)越長(zhǎng)，產(chǎn)生的電子-空穴對(duì)越遠(yuǎn)離PN結(jié)面，需由擴(kuò)散機(jī)制到達(dá)PN結(jié)面，距離PN結(jié)面越遠(yuǎn)，再擴(kuò)散到PN結(jié)面前就被復(fù)合的機(jī)率較高，所以800nm-1000nm光譜隨波長(zhǎng)遞減；大于1000nm波段快速下降則是因?yàn)槿肷涔饽芰恐饾u小于P層材料的能隙，入射光無(wú)法激發(fā)電子-空穴對(duì)產(chǎn)生，所以曲線快速下降，可由外部量子效率觀察出各層反應(yīng)特性。